山西中科潞安深紫外光电项目投产以来，定方向，抓研发，各项工作稳步推进，一期项目全线投产，芯片产品成功下线，产品和技术研发初步展开，为未来继续抢占深紫外LED领域的制高点，构建起国际化开放式的国家紫外光电产业集群创造了良好条件。
深紫外LED项目方面，一期3000万颗紫外LED项目全线投产，芯片产品成功下线。公司不断完善顶层设计，实现专业化管理、效益化运营、规模化发展，并逐步开展销售工作，目前紫外公司已在佛山市设立了芯片营销机构，对接粤港澳大湾区前沿市场。按照科技创新企业运营特点结合市场经营需要，公司制定了一整套工作制度，从生产、工艺、产品、质量、成本、营销各方面驱动生产运营，现已启动ISO90001质量认证体系的认证申报工作。紫外芯片生产线自2018年12月试运行以来，技术指标稳步提升，目前已研制出波长在260-680nm范围的深紫外LED芯片；主要技术性能指标为目前国际上深紫外LED芯片产品的领先行列水平，实现了一期建设项目的高水平管理和运营。
在产品和技术研发方面，依托中科院半导体所科研力量，初步构建起企业化运作的科研平台，引进半导体所科研人员担任技术部门负责人，有序推进研发人员和高端人才的招聘工作。此外，与美的集团在签订合作协议的基础上，产品和技术的合作研发已初步开展。并积极展开与深圳各大半导体光电企业的对接工作，努力寻求与产业大客户之间的合作。
对于未来的发展，中科潞安半导体技术研究院有限公司董事长贾和平信心十足：“深紫外LED是当前国际LED领域争相抢占的高端领域，我们已经抢占了先机，要乘胜而上，加快推进二期年产3亿颗深紫外LED外延芯片生产线建设和产业园区建设。公司未来五年的发展规划就是要以市场为导向、以效益为中心、以科技创新为动力，通过资金、政策、人才等多方面的保障措施确保公司的快速发展，抢占深紫外LED领域的制高点，积极布局，推进关键技术的产业化，构建国际化开放式的国家紫外光电产业集群，共同为人类绿色、低碳、可持续发展做出贡献。”
背景链接：中科潞安拥有世界最先进的深紫外LED技术。山西中科潞安深紫外光电项目为全球首条量产化深紫外LED生产线。位于长治高新区漳泽新型工业园区，项目分两期建设，一期工程为年产3000万颗紫外LED芯片项目，投资5.4亿元。二期工程为年产3亿颗紫外LED芯片项目，投资15亿元。项目建成后，将形成以半导体深紫外LED芯片为核心、布局下游产品的千亿元深紫外产业园区，市场前景广阔。
项目主要建设两个平台：一是建设山西长治中科潞安半导体产业技术研究院，以氮化物深紫外 LED为主要目标和产品，开展从高温MOCVD设备制造、深紫外外延材料、到LED芯片的研发和生产。二是成立山西中科潞安深紫外科技公司。深紫外科技公司是产业化推广平台.
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